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场效应晶体管（FET）是一种利用电场控制电流流动的电子器件。向栅极施加电压即可改变漏极与源极之间的导电特性。由于其工作原理仅涉及单一载流子类型，FET亦称作单极性晶体管，即在工作过程中仅以电子或空穴作为载流子，而不会同时使用两者。通常情况下，场效应晶体管在低频段具有极高的输入阻抗。

场效应晶体管，MOSFET 阵列

AONZ66412

FF17MR12W1M1HB17BPSA1

FF7MR12W1M1HB17BPSA1

DMTH10H032LDVW-7

DMC3350LDWQ-13

DMP31D1UDWQ-7

DMN3350LDWQ-13

DMTH69M9LPDW-13

DMTH10H032SDVW-13

DMN2011UCA6-7

DMTH10H032LDVW-13

DMTH10H032LDVWQ-13

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